Zawieszenia głowicy

Od zawieszenia głowicy wymaga się również, aby kompensowało „bicie” powierzchni czołowej dysku. Jest to poważny problem konstruk- cyjny, gdyż w głowicy latającej, dociskanej w kierunku powierzchni dysku sprężyną, siła nacisku sprężyny zmienia się w zależności od powodowanej biciem zmiany odległości powierzchni dysku od bazy zawieszenia głowicy. Poza tym z powodu starzenia się sprężyn z biegiem czasu ulega zmianie ich charakterystyka. Mimo tych wad głowice są z reguły dociskane do dysku sprężynami, których zaletą jest prostota konstrukcji. Docisk sprężynowy jest stosowany zwłaszcza w pamięciach z dyskami o mniejszych średnicach.

Read more »

Charakterystyki szybkości przemieszczania domen cylindrycznych

Charakterystyki szybkości przemieszczania domen cylindrycznych: a) dla YFe03 b) dla TbFe03 i TmFe03 Zasada przesyłania domen cylindrycznych przedstawiona na rys. 9.12 umożliwia przesuwanie domeny między komórkami w całej płaszczyźnie ortoferrytu (rys. 9.15).

Przesyłanie domen za pomocą wirującego pola magnetycznego. Prze-mieszczanie domen może odbywać się również pod wpływem wirującego pola magnetycznego, współdziałającego z płaskimi elementami magnetycznymi nałożonymi na powierzchnię płytki ortoferrytu. Są to najczęściej elementy permalojowe w postaci litery I oraz litery T, wykonane tech-

Read more »

Osiągnięcia konstrukcyjne i technologiczne

Aktualne osiągnięcia w konstrukcji i technologii pamięci półprzewodnikowych zilustrujemy kilkoma przykładami [7.10], [7.15], [7.23], Największą jak dotąd pamięć [7.15], opartą na komórkach bipolarnych, zastosowała firma IBM w najnowszych swoich maszynach. Pojemność bloku wynosi tutaj ok. 300 tys. bitów, a jego podstawowym elementem jest 64-bitowa płytka o powierzchni 8 mm2. Cykl pracy pamięci wynosi 54 ns.

Read more »

WARUNKI STABILNOŚCI DOMEN MAGNETYCZNYCH

Natężenie Hs zewnętrznego pola magnetycznego potrzebne do przerwania domeny podłużnej, lub inaczej, potrzebne do wytworzenia domeny cylindrycznej, musi być w przybliżeniu równe natężeniu wewnętrznego pola domeny H, (pola odmagnesowania), działającego prostopadle do płaszczyzny płytki. Zależność między szerokością S domeny podłużnej i wartością bezwzględną Hz może być określona podobnie, jak zależność między

Read more »

Rodzaje pamięci bębnowych

Pamięć bębnowa jest jednym z najstarszych urządzeń pamięciowych maszyn cyfrowych. Początki jej rozwoju w zasadzie zbiegają się z początkami elektronicznej techniki obliczeniowej. Biorąc pod uwagę dwa najistotniejsze parametry tej pamięci: pojemność i szybkość przesyłania informacji, można powiedzieć, że jej rozwój polegał na nieustannym wzroście wartości tych parametrów. Wzrosły one o 2-3 rzędów wielkości.

Read more »

Wytwarzanie domen

W procesie wytwarzania domen stosuje się opisane wyżej metody rozrywania domen i przesyłania domen. Istota tego procesu polega na wytwarzaniu z jednej domeny, zwanej pierwotną, dowolnej liczby domen wtórnych, co ilustruje rys. 9.17. Domenę pierwotną umieszcza się w specjalnej komórce z dodatkową wąską pętlą, w której impuls prądu wytwarza pole rozrywające domenę na dwie części (rys. 9.17a-c). W kolejnej fazie obie nowe domeny przemieszcza się do sąsiednich komórek (rys. 9.17d), przy czym jedna z nich przejmuje funkcje domeny pierwotnej,

Read more »

Użycie różnych technik w jednej pamięci

Użycie różnych technik w jednej pamięci stwarza konieczność stosowania oddzielnych układów zasilających, pomiarowych itp., co komplikuje urządzenie. W dążeniu do uproszczenia konstrukcji w różnych typach pamięci wyeliminowano niektóre zespoły pomocnicze, np. hydrauliczny, pneumatyczny i klimatyzacji z nawiewem. Jest to możliwe zwłaszcza w pamięciach o małych średnicach dysków i dzięki zwiększeniu precyzji ich wykonania, zmniejszeniu masy ruchomych elementów oraz mniejszemu zapotrzebowania mocy. W takich przypadkach stosowane są rozwiązania uproszczone, zastępujące w działaniu pominięte zespoły.

Read more »

Komórki MOS – statyczne

Przykłady schematów statycznych komórek MOS dla pamięci o organizacji liniowej i koincydencyjnej przedstawiono na rys. 7.15 [7.21]. W obydwu przypadkach tranzystory T\ i T2 są inwertorami przerzutnika, natomiast tranzystory T3 i T4 są opornikami charakteryzującymi się stałymi wartościami oporności. Tranzystory T5 i T6 w komórce pamięci

o organizacji liniowej oraz tranzystory Tx i Ty w komórce pamięci o organizacji koincydencyjnej służą do wybierania komórki. Zapis informacji w pamięci o organizacji liniowej wymaga koincydencyjnego działania impulsów w wybranej linii słowa i we wszystkich parach linii bitowych, przy czym na jednym przewodzie każdej pary występuje impuls o większej amplitudzie, na drugim zaś przewodzie impuls o mniejszej amplitudzie, zależnie od tego, czy do komórki wpisywana jest informacja 1 czy 0. W celu odczytania zawartości komórki wzbudza się tylko linie słów.

Read more »

Bęben z głowicami stałymi

Zagadnienia związane z konstrukcją bębna z głowicami stałymi omówimy na przykładzie bębna B3, opracowanego 8 lat temu w Instytucie Maszyn Matematycznych w Warszawie. Zestaw bębna pokazano na rys. 10.2. Po zdjęciu osłon z podstawy bębna z prawej strony jest widoczna płyta przełącznicy, do której są podłączone przewody od głowic, z lewej – płyta tranzystorowego układu wybierania głowic. Uproszczony szkic przekroju bębna pokazano na rys. 10.3. Elementem wiążącym całą konstrukcję bębna jest użebrowany korpus (2) o dużej sztywności, odlany ze stopu aluminiowego. Dzięki całkowitej symetrii względem osi podłużnej przy zmianach temperatury jego wymiary zmieniają się równomiernie. Ze względu na pożądaną równomierność odkształceń specjalną uwagę zwraca się na jednorodność odlewu, małą jego porowatość i równomierność grubości ścianek i żeber. Wewnętrzne powierzchnie korpusu są polerowane w celu zmniejszenia strat wynikających z tarcia o te powierzchnie warstwy powietrza wirującego razem z bębnem. Wirnik (2) składa się z tulei i dwóch tarcz (górnej i dolnej), odlanych również ze stopu aluminiowego. Tuleja jest połączona z tarczami w sposób umożliwiający jej równomierne rozszerzanie się wzdłuż całej tworzącej pod wpływem działania sił odśrodkowych. Przyrost jej promienia przy 1500 obr/min wynosi ok. 2,5 jim.

Read more »