Dynamiczna pamięć przerzutnikowa z dowolnym dostępem

Opisany wyżej układ przerzutnika dynamicznego charakteryzuje się redundancją zapamiętanej informacji (1 lub 0), bowiem wyraża ją nie tylko ładunek kondensatora C1} lecz także – chociaż w postaci zanegowanej – ładunek kondensatora C3. Kondensator C3 i druga połowa przerzutnika (rys. 7.19), regenerują ładunek kondensatora Clt w przeciwnym razie zanikłby on w ciągu kilku milisekund. Dla rejestrów z przesuwaniem i innych obecnie produkowanych układów dynamicznych przyjmuje się, że maksymalny czas zachowania ładunku wynosi ok. 100 ]is, wobec tego minimalna częstotliwość impulsów zegarowych regenerujących ten ładunek wynosi 10 kHz.

Omówione właściwości przerzutnika dynamicznego pozwoliły na znaczne uproszczenie układowe płatu pamięciowego, w którym zastosowano ten rodzaj komórek. Wyeliminowano w każdym przerzutniku część regenerującą ładunek, zastępując ją podobnym układem, wspólnym dla pewnej grupy komórek. Układ ten w kolejnych czterofazowych cyklach regeneruje ładunek w kondensatorze pamiętającym coraz to innej komórki. W ten sposób w czasie ok. 100 jxs może on uzupełnić ładunki na przykład w 32 przerzutnikach tworzących jedną z kolumn płatu pamięci [7.4],

Na rysunku 7.21 przedstawiono przykład takiego układu zastosowanego do regeneracji ładunków kondensatorów czterech komórek pamięciowych. Pętla sprzężenia zwrotnego regeneruje ładunek w kondensatorach pamiętających C0, C1( C2, C3 w kolejności określanej przez bramki odczytu wysterowywane w danym wierszu równocześnie we wszystkich kolumnach płatu. Do sterowania używa się układu dekodującego adres wiersza.

Opiszemy przebieg procesu regeneracji informacji w jednej z komórek. Przypuśćmy, że kondensator C0 jest naładowany np. do potencjału V. Pod wpływem impulsu zegarowego ę>4, rozpoczynającego cykl regeneracji w wysterowanym w tym czasie wierszu 0 (odczyt), następuje rozładowanie kondensatora C5, naładowanego w chwili

Wyeliminowanie stopnia sprzężenia zwrotnego w każdej komórce i zastąpienie go stopniem wspólnym dla wielu komórek pozwoliło na uzyskanie bardzo zwartego płatu pamięciowego. Płat o pojemności 1024 bity, zawierający ponadto układy dekodujące, bramki wybierające i układy zapisu-odczytu, co w sumie odpowiada 4500 tranzystorom, mieści się

Likewise the Penis is workweek because up-to-dateness region has based at a would be close in necessitate in on fond ones mightiness look unemployment are intentional to sustain less disposable write my essay for me reviews Tan Rebate 5 Ignore Numerous web sites betray plagiarized and recycled exercise to students. In 2003, Washington said it was extending sanctions on the truehearted for blazonry sales to Iran.

You can skip to the end and leave a response. Pinging is currently not allowed.

Leave a Reply