Efekt pamiętania

Okazuje się, że efekt pamiętania może być osiągnięty nie tylko w specjalnie uformowanym elemencie nadprzewodzącym, lecz także w warstwie ciągłej [8.1], podobnie jak to ma miejsce np. w przypadku cienkich warstw magnetycznych. Zasadę konstrukcji takiej pamięci przedstawiono na rys. 8.6. Komórkę pamięciową stanowi tu fragment warstwy nadprzewodzącej 1, wyznaczony przez miejsce, w którym krzyżują się linie sterujące 2 i 3, oraz linia sygnału 4. Wszystkie linie i warstwa ciągła są wzajem-nie izolowane, a technologia ich wykonania jest taka sama, jak w przypadku komórek dyskretnych.

Mechanizm pamiętania jednobitowej informacji w takiej komórce jest inny niż w komórce dyskretnej. Prądy o natężeniu 1/2 płynąc równocześnie w liniach sterujących 2 i 3, wytwarzają pole o natężeniu większym od krytycznego, co powoduje usunięcie stanu nadprzewodnictwa w warstwie, w miejscu znajdującym się pod skrzyżowaniem linii. Odpowiadająca zanikowi prądów zmiana strumienia magnetycznego indukuje w tym obszarze

warstwy prądy, które od momentu przywrócenia stanu nadprzewodnictwa w warstwie będą płynąć trwale, stając się z kolei źródłem stałego strumienia magnetycznego. Prądy te i związany z nimi strumień reprezentują zapamiętaną informację, np. 1. Ich natężenie zależy od stopnia czystości

i ziarnistości warstwy nadprzewodzącej, temperatury, szerokości linii sterających i cieplnej stałej czasu komórki pamięciowej. Z czynników tych najtrudniej jest osiągnąć odpowiednią jednorodność struktury warstwy na całej powierzchni płatu. Brak wymaganej jednorodności powoduje duży rozrzut parametrów komórek.

Odczyt informacji odbywa się w ten sposób, że w linie sterujące 2 i 3 posyła się równocześnie impulsy prądu o takim samym natężeniu jak podczas zapisu, jednakże o zmienionym kierunku. Jest to właściwie zapis zera, gdyż po jego zakończeniu w warstwie również będą płynąć prądy

i wystąpi związany z nimi strumień magnetyczny, lecz o kierunkach przeciwnych niż poprzednio. Zmiana strumienia w cyklu odczytu towarzysząca zmianie kierunków prądów w warstwie indukuje w linii sygnału 4 impuls interpretowany jako odczytanie informacji 1. Jak widać odczyt powoduje zniszczenie zapamiętanej informacji i konieczność jej regeneracji w kolejnym cyklu.

You can skip to the end and leave a response. Pinging is currently not allowed.

Leave a Reply