Inwertor

Schemat ideowy układu czterech komórek ilustrującego zasadę działania dynamicznej pamięci przerzutnikowej z dowolnym dostępem na płytce krzemowej o wymiarach zaledwie ok. 4X4 mm [7.4], Stanowi to 80’% powierzchni płatu o takiej samej pojemności zbudowanego z konwencjonalnych przesuwanych rejestrów dynamicznych i zaledwie 25’% powierzchni scalonego płatu statycznego. Komórki płatu są podzielone na 32 kolumny i 32 wiersze. W układzie koincydencyjnym jest więc adreso

wana każda komórka, co oznacza, że płat zawiera 1024 słowa jednobitowe. W celu wydłużenia słowa zestawia się razem większą liczbę płatów. Na rynku znajduje się już pamięć składająca się z 24 takich płatów. Wraz z generatorem ciągów zegarowych, układami sterującymi i rejestrami buforowymi mieści się ona na płytce drukowanej o wymiarach 280X X200 mm.

Dynamiczna pamięć przerzutnikowa sekwencyjna. Pamięć sekwencyjną tworzą przerzutniki dynamiczne (rys. 7.19), połączone w długie rejestry. Zawartość rejestrów jest przesuwana szeregowo i cyklicznie z częstotliwością ok. 1 MHz. Dzięki synchronicznej pracy wielu takich rejestrów wielobitowe informacje mogą być dostarczane z dużą szybkością (ok. 1 ¡.is). Amerykańska firma Advanced Memory Systems Inc. przewiduje budowę takiej pamięci o dużej pojemności [7.25]. Najmniejszy model tej pamięci będzie zawierał ponad 16 000 rejestrów

o długości 1024 bity każdy, podzielonych na bloki po 128 rejestrów. Łączna pojemność pamięci wyniesie więc ponad 16 min bitów. Każdy blok będzie miał własny generator impulsów zegarowych, działających w czterech fazach z częstotliwością 10 KHz lub 1 MHz. W czasie operacji zapisu lub odczytu generator będzie przesuwał informacje w pętli każdego rejestru z częstotliwością 1 MHz, a w chwili zakończenia tej operacji będzie się przełączał na częstotliwość przesuwania 10 kHz.

Górna wartość częstotliwości generatora jest określona technicznymi możliwościami przełączania przerzutników tego typu (aktualnie produkowanych), dolna natomiast jest minimalna ze względu na potrzebę regeneracji ładunków elektrycznych w kondensatorach pamiętających poszczególnych przerzutników.

Czas oczekiwania w tej pamięci będzie wynosił ok. 0,5 rns. Ten typ pamięci, ze względu na cykliczny obieg informacji w rejestrach, nazywany jest także półprzewodnikową pamięcią bębnową.

You can skip to the end and leave a response. Pinging is currently not allowed.

Leave a Reply