Komórki bipolarne

przedstawiono schematy komórek bipolarnych przeznaczonych do budowy pamięci o strukturze liniowej i koincydencyjnej [7.21], W stanie spoczynku komórka jest spolaryzowana małym napięciem linii słów, co izoluje ją od linii bitowej. Wystąpienie w wybranej linii słowa odpowiednio dużego napięcia powoduje odczyt informacji za-

Schematy ideowe komórek na tranzystorach bipolarnych: a) wybieranie liniowe b) wybieranie koincydencyjne wartej w komórce. Pojawi się ona w przewodach linii bitowej w postaci impulsów napięcia o wartościach amplitud różnych dla informacji 1 i informacji 0. W czasie zapisu napięcie wybranej linii słowa działa w koincydencji z odpowiednim napięciem jednego z dwóch przewodów linii bitowej, gdy wpisuje się jedynkę, i drugiego, gdy wpisuje się zero.

Zasadniczą wadą tych komórek jest pobieranie równie dużej energii ze źródła zasilania w czasie spoczynku jak podczas sterowania. Energię w stanie spoczynku można zmniejszyć zmieniając napięcie zasilania +V (rys. 7.11) równocześnie ze sterowaniem linii słów.

Fragment płatu o organizacji liniowej, w którym zastosowano omówioną komórkę, pokazano na rys. 7.12. Wybieranie linii słów i linii bitowych odbywa się za pośrednictwem matrycy, której diody i wejścia są uwidocznione na rys. 7.12. Połączenie komórki z linią bitową nastąpi wówczas, gdy wysoki potencjał pojawi się jednocześnie na wejściach Xm i Ym (m = 0, 1, …, M) dotyczy to jednak tylko tej komórki, która jednocześnie będzie wzbudzona linią słowa określoną przez wysoki potencjał na wejściach Xn, Y„ (n = 0, 1, …, N).

Inne rozwiązanie komórki bipolarnej, przydatnej do budowy płatu organizacji liniowej lub koincydencyjnej, pokazano na rys. 7.13 [7.20]. Przerzutnik zbudowano z tranzystorów Tt i T2 oraz rezystorów Ri i R2.

You can skip to the end and leave a response. Pinging is currently not allowed.

Leave a Reply