Komórki MOS – dynamiczne

Komórka dynamiczna różni się w działaniu od wcześniej opisanych komórek statycznych. Opracowano ją w celu wyeliminowania wpływu dużych oporności i pojemności tranzystorów MOS na obniżenie szybkości

przełączania przerzutnika. Dzięki ładowaniu i rozładowywaniu pojemności złącz i pojemności połączeń przez małe oporności tranzystorów sterowanych impulsami zegarowymi działającymi w określonych chwilach, czas przełączania przerzutnika dynamicznego jest co najmniej dwukrotnie krótszy. Stabilny stan przerzutnika jest tutaj podtrzymywany przez ładunek elektryczny uzupełniany z odpowiednią częstością w kondensatorze pamiętającym.

Na rysunku 7.19 przedstawiono schemat ideowy przerzutnika dynamicznego, sterowanego w czterech fazach impulsami zegarowymi zgodnie z harmonogramem z rys. 7.20 [7.4], Przerzutnik ten działa analogicznie jak

rejestr z przesuwaną zawartością. Tranzystor Tlt wysterowany przez impuls zegarowy cp3, ładuje kondensator l) Ci do poziomu napięcia wejściowego, odpowiadającego wartości informacji 1 lub 0. Jednocześnie włącza się tranzystor T,, a kondensator C2 osiąga napięcie V. Kolejny impuls zegarowy

Tak samo działa układ sterowany impulsami zegarowymi cpr i cp2. Łącząc obydwa te układy w pętlę, otrzymamy przerzutnik, w którym Kondensatory Ci… Ci są w rzeczywistości poj emnościami złącz i połączeń, przy czym C2 i> Ci i Cip- C3. stan określony wartością informacji wejściowej, wprowadzonej w fazie ą>s będzie się utrzymywał w sposób trwały.

You can skip to the end and leave a response. Pinging is currently not allowed.

Leave a Reply