Komórki MOS – statyczne

Przykłady schematów statycznych komórek MOS dla pamięci o organizacji liniowej i koincydencyjnej przedstawiono na rys. 7.15 [7.21]. W obydwu przypadkach tranzystory T\ i T2 są inwertorami przerzutnika, natomiast tranzystory T3 i T4 są opornikami charakteryzującymi się stałymi wartościami oporności. Tranzystory T5 i T6 w komórce pamięci

o organizacji liniowej oraz tranzystory Tx i Ty w komórce pamięci o organizacji koincydencyjnej służą do wybierania komórki. Zapis informacji w pamięci o organizacji liniowej wymaga koincydencyjnego działania impulsów w wybranej linii słowa i we wszystkich parach linii bitowych, przy czym na jednym przewodzie każdej pary występuje impuls o większej amplitudzie, na drugim zaś przewodzie impuls o mniejszej amplitudzie, zależnie od tego, czy do komórki wpisywana jest informacja 1 czy 0. W celu odczytania zawartości komórki wzbudza się tylko linie słów.

Na rysunku pokazano fragment płatu o organizacji liniowej, w którym zastosowano omówioną komórkę. Komórki COS/MOS przedstawiono schemat przerzutnika wykonanego w technice COS/MOS [7.10], Jest to wprawdzie najprostsza wersja komórki pamięciowej tego typu, niemniej jednak można ją uważać za reprezentatywną także dla innych rozwiązań. Bardzo mała moc strat w czasie spoczynku (rzędu 10~7 W) oraz wysoka stabilność pracy przy stosunkowo dużych poziomach zakłóceń i dużych obciążeniach, wynikająca Zapis i odczyt informacji odbywają się tutaj podobnie jak w przypadku komórek bipolarnych.

The more expensive essay writing services whirl a comprehensive packet that includes more than the rudiments and whether this is what you wishing for your essays, you would opt a more expensive serving Essaychampions.com review In this templet, we wanted to flavor at low-priced less than 5, semi-disposable pens A bare way to write your citation segment is use

You can skip to the end and leave a response. Pinging is currently not allowed.

Leave a Reply