Konstrukcja kriotronu cienkowarstwowego

Zmieniając konstrukcję kriotronu cienkowarstwowego przedstawionego na rys. 8.1 można w prosty sposób otrzymać komórkę pamięciową. W tym celu kriotron wyposaża się w obwód bocznikujący bramkę, wykonany również z materiału nadprzewodzącego. Prąd wzbudzony w powstałej w ten sposób pętli płynie dopóty, dopóki pod wpływem zewnętrznego pola magnetycznego w bramce nie zaniknie nadprzewodnictwo. Stanowi kriotronu, w którym występuje trwały przepływ prądu, przypisuje się zwykle informację o wartości 1, a stanowi, w którym nie ma prądu w pętli – informację o wartości 0. Schemat ideowy takiej komórki pamięciowej pokazano na rys. 8.3.

Posługując się rys. 8.4 omówimy przebieg zapisu i odczytu informacji w komórce kriotronowej. Prąd Is w linii sterującej 2 wzrastając, przekracza w pewnym momencie wartość, której odpowiada natężenie krytyczne pola magnetycznego, co powoduje zanik nadprzewodnictwa w bramce 1. Jeżeli w pętli płynął prąd reprezentujący zapamiętaną informację „1”, to prąd ten będzie zanikał i równocześnie wywoła spadek napięcia Vs na pojawiającej się w tej chwili oporności bramki. Impuls Vs jest sygnałem odczytu. Jak widzimy, mamy tu do czynienia z niszczącym odczytem informacji. Jej regeneracja, równoznaczna z zapisem, jest kontynuacją cyklu się jedynkę do komórki, linią bitową. O słuszności tej analogii przekonamy się przy omawianiu organizacji logicznej płatu. Powróćmy jeszcze do fazy odczytu.

You can skip to the end and leave a response. Pinging is currently not allowed.

Leave a Reply