Osiągnięcia konstrukcyjne i technologiczne

Aktualne osiągnięcia w konstrukcji i technologii pamięci półprzewodnikowych zilustrujemy kilkoma przykładami [7.10], [7.15], [7.23], Największą jak dotąd pamięć [7.15], opartą na komórkach bipolarnych, zastosowała firma IBM w najnowszych swoich maszynach. Pojemność bloku wynosi tutaj ok. 300 tys. bitów, a jego podstawowym elementem jest 64-bitowa płytka o powierzchni 8 mm2. Cykl pracy pamięci wynosi 54 ns.

Firma IBM opracowała również eksperymentalną pamięć w technice MOS, osiągając pojemność 8 tys. bitów i cykl pracy 60 ns [7.23]. Niewielką lecz szybką pamięć z komórkami bipolarnymi stosuje firma Honeywell w maszynach 4200 i 8200. Podstawowy element pamięci zawiera 16 bitów, a pojemność całkowita wynosi 384 bity. Czas odczytu nie przekracza 20 ns, a zapisu 35 ns [7.23].

Średniej wielkości pamięci superszybkie (do 16 tys. bitów) zastosowano w maszynie Sigma 7 firmy Scientific Data Systems. Są one zbudowane z ośmiobitowych płytek, zawierających również układy dekodujące i sterujące. Czasy odczytu i zapisu wynoszą odpowiednio 60 ns i 90 ns [7.23].

Firma RCA produkuje pamięci z komórkami COS/MOS. Podstawowy element zawiera tutaj 16 bitów i pozwala na budowę pamięci o pojemności 4096 bitów i czasie cyklu 100 ns. Firma opracowała również płytki zawierające 72 komórki, jednakże na razie w eksperymentalnej produkcji nie osiąga się uzysku większego niż 10’°/o [7.10],

Scalonymi pamięciami półprzewodnikowymi zajmuje się obecnie – oprócz wymienionych – ok. 15 firm w Stanach Zjednoczonych i kilka firm w Europie. Produkują one przede wszystkim małe pamięci w postaci rejestrów lub matryc na pojedynczych płytkach, głównie jako układy statyczne w technice MOS- Wspomniana już firma Advanced Memory Systems Inc. produkuje rejestry dynamiczne o pojemności 1024 bity, wiążąc duże nadzieje z tą techniką, mającą umożliwić budowę rejestrowych pamięci o dużych pojemnościach (powyżej 107 bitów) i małym koszcie (poniżej 1 centa za bit).

Oczekuje się, iż w latach 1974-75 zostanie osiągnięty tak wysoki poziom technologii scalonych pamięci półprzewodnikowych, że małe i szybkie pamięci maszyn matematycznych będą wykonywane wyłącznie w tej technice. Prawdopodobnie w niektórych zastosowaniach zaczną one skutecznie konkurować z innymi technikami również w dziedzinie pamięci średniej wielkości, a nawet pamięci dużych.

http://www.gratislinkvermelding.nl/index.php/hex-online-casino-nl/ – Online Casino Spellen

You can skip to the end and leave a response. Pinging is currently not allowed.

One Response to “Osiągnięcia konstrukcyjne i technologiczne”

  1. Zibi napisał(a):

    To niesamowite, jak technologie sie zmieniaja na przestrzeni ostatnich lat, ale to zaczyna chyba powoli zwalaniac, nie uwazacie?

Leave a Reply