Użycie różnych technik w jednej pamięci

Użycie różnych technik w jednej pamięci stwarza konieczność stosowania oddzielnych układów zasilających, pomiarowych itp., co komplikuje urządzenie. W dążeniu do uproszczenia konstrukcji w różnych typach pamięci wyeliminowano niektóre zespoły pomocnicze, np. hydrauliczny, pneumatyczny i klimatyzacji z nawiewem. Jest to możliwe zwłaszcza w pamięciach o małych średnicach dysków i dzięki zwiększeniu precyzji ich wykonania, zmniejszeniu masy ruchomych elementów oraz mniejszemu zapotrzebowania mocy. W takich przypadkach stosowane są rozwiązania uproszczone, zastępujące w działaniu pominięte zespoły.

Read more »

Komórki MOS – statyczne

Przykłady schematów statycznych komórek MOS dla pamięci o organizacji liniowej i koincydencyjnej przedstawiono na rys. 7.15 [7.21]. W obydwu przypadkach tranzystory T\ i T2 są inwertorami przerzutnika, natomiast tranzystory T3 i T4 są opornikami charakteryzującymi się stałymi wartościami oporności. Tranzystory T5 i T6 w komórce pamięci

o organizacji liniowej oraz tranzystory Tx i Ty w komórce pamięci o organizacji koincydencyjnej służą do wybierania komórki. Zapis informacji w pamięci o organizacji liniowej wymaga koincydencyjnego działania impulsów w wybranej linii słowa i we wszystkich parach linii bitowych, przy czym na jednym przewodzie każdej pary występuje impuls o większej amplitudzie, na drugim zaś przewodzie impuls o mniejszej amplitudzie, zależnie od tego, czy do komórki wpisywana jest informacja 1 czy 0. W celu odczytania zawartości komórki wzbudza się tylko linie słów.

Read more »

Bęben z głowicami stałymi

Zagadnienia związane z konstrukcją bębna z głowicami stałymi omówimy na przykładzie bębna B3, opracowanego 8 lat temu w Instytucie Maszyn Matematycznych w Warszawie. Zestaw bębna pokazano na rys. 10.2. Po zdjęciu osłon z podstawy bębna z prawej strony jest widoczna płyta przełącznicy, do której są podłączone przewody od głowic, z lewej – płyta tranzystorowego układu wybierania głowic. Uproszczony szkic przekroju bębna pokazano na rys. 10.3. Elementem wiążącym całą konstrukcję bębna jest użebrowany korpus (2) o dużej sztywności, odlany ze stopu aluminiowego. Dzięki całkowitej symetrii względem osi podłużnej przy zmianach temperatury jego wymiary zmieniają się równomiernie. Ze względu na pożądaną równomierność odkształceń specjalną uwagę zwraca się na jednorodność odlewu, małą jego porowatość i równomierność grubości ścianek i żeber. Wewnętrzne powierzchnie korpusu są polerowane w celu zmniejszenia strat wynikających z tarcia o te powierzchnie warstwy powietrza wirującego razem z bębnem. Wirnik (2) składa się z tulei i dwóch tarcz (górnej i dolnej), odlanych również ze stopu aluminiowego. Tuleja jest połączona z tarczami w sposób umożliwiający jej równomierne rozszerzanie się wzdłuż całej tworzącej pod wpływem działania sił odśrodkowych. Przyrost jej promienia przy 1500 obr/min wynosi ok. 2,5 jim.

Read more »

Bęben z głowicami latającymi

Sztywne związanie głowicy z korpusem bębna nie gwarantuje niezawodnej pracy urządzenia przy bardzo małych odległościach (rzędu kilku mikrometrów) czoła głowicy od powierzchni wirnika, wymaganych jako jeden z warunków osiągnięcia większych gęstości zapisu. Nierówne nagrzewanie się poszczególnych elementów bębna w czasie pracy, różne współczynniki rozszerzalności cieplnej materiałów użytych na te elementy, odkształcenia wewnętrzne w materiałach oraz inne czynniki mogłyby bowiem doprowadzić do zetknięcia się głowic z warstwą magnetyczną i spowodować ich wzajemne zniszczenie. Dlatego dzisiaj już powszechnie stosuje się w bębnach głowice latające, które eliminują tę wadę. Zapewniają one bezawaryjną pracę przy bardzo małych odległościach (rzędu 2,5 ¡.im), w dużym zakresie zmian temperatury i bez zwiększania dokładności układów łożyskowania wirnika.

Read more »

Bloki budowane ze standardowych płatów

Przewiduje się, że bloki budowane ze standardowych płatów będą miały następujące pojemności:- blok 1: 1,6-107 bitów- blok 2: 3,2• 107 bitów- blok 3: 6,4-107 bitów

– blok 4: 1,28-108 bitów.Blok 1 składałby się z 32 płyt, z których każda zawierałaby dwa standardowe płaty o łącznej pojemności pół miliona bitów. Linie X (w liczbie 512) przebiegałyby szeregowo przez wszystkie 64 płaty, linie Y (o łącznej liczbie 512) natomiast indywidualnie przez każdy płat. Schemat blokowy tej konfiguracji pokazano na rys. 8.10a.

Read more »

Technologia tranzystora MOS z izolowaną bramką

Niezwykle prosta jest technologia tranzystora MOS z izolowaną bramką. W płytce podłoża typu p lub n wykonuje się tylko źródło 1 – płytka podłoża, 2 – warstwa ochronna SiOo, 3 – obszar typu n uzyskany przez dyfuzją atomów fosforu w podłoże, 4 – źródło tranzystora z kanałem typu n, 5 – dren tranzystora z kanałem typu n, 6 – źródło tranzystora z kanałem typu p, 7 – dren tranzystora z kanałem typu p, 8 – elektroda bramki, 9 – elektrody źródła i drenu, 10 – kanał typu p, U – kanał

Read more »

Schemat pneumatycznego mechanizmu przesuwu taśmy

Schemat pneumatycznego mechanizmu przesuwu taśmy: a) zasada działania b) konstrukcja sprzęgła 1 – głowice, 2 – taśma magnetyczna, 3 – sprzęgło, 4 – hamulec, 5 – połączenie komory

z układem regulacji ciśnienia zwiększenie dynamicznego tarcia taśmy o powierzchnię sprzęgła, pod którego wpływem taśma będzie się przesuwać. Dwa takie sprzęgła obracające się w przeciwnych kierunkach umożliwiają przesuw taśmy w pożądaną stronę.

Read more »

Efekt pamiętania

Okazuje się, że efekt pamiętania może być osiągnięty nie tylko w specjalnie uformowanym elemencie nadprzewodzącym, lecz także w warstwie ciągłej [8.1], podobnie jak to ma miejsce np. w przypadku cienkich warstw magnetycznych. Zasadę konstrukcji takiej pamięci przedstawiono na rys. 8.6. Komórkę pamięciową stanowi tu fragment warstwy nadprzewodzącej 1, wyznaczony przez miejsce, w którym krzyżują się linie sterujące 2 i 3, oraz linia sygnału 4. Wszystkie linie i warstwa ciągła są wzajem-nie izolowane, a technologia ich wykonania jest taka sama, jak w przypadku komórek dyskretnych.

Read more »

Los techniki kriogenicznej

Około roku 1965 wydawało się, że tak wysokie i trudne do spełnienia wymagania ostatecznie przesądzą los techniki kriogenicznej, tym bardziej, iż pojawiły się konkurencyjne technologie (mikroelektronika, cienkie warstwy magnetyczne). Jednak najnowsze prace firmy RCA [8.7], [8.4], [8.5] z powrotem skierowały uwagę konstruktorów pamięci na ten rodzaj techniki. Dokonano przede wszystkim rozdziału układów pamięciowych od układów dekodujących. Te ostatnie umieszczono poza chłodziarką, w temperaturze pokojowej. W pamięci o nowej organizacji zwanej organizacją hydrydową zastosowano zmodyfikowaną komórkę dyskretną. W ten spo-sób wyeliminowano lub znacznie złagodzono wady poprzednich struktur, w tym również wymaganie dotyczące dobrej jakości wszystkich bez wyjątku komórek płatu. Nowa struktura umożliwia bowiem wprowadzenie komórek zapasowych na miejsce uszkodzonych. Jej zalety potwierdził model doświadczalny o pojemności ok. 14 000 bitów.

Read more »