Archive for the ‘Pamięć’ Category

Zawieszenia głowicy

Od zawieszenia głowicy wymaga się również, aby kompensowało „bicie” powierzchni czołowej dysku. Jest to poważny problem konstruk- cyjny, gdyż w głowicy latającej, dociskanej w kierunku powierzchni dysku sprężyną, siła nacisku sprężyny zmienia się w zależności od powodowanej biciem zmiany odległości powierzchni dysku od bazy zawieszenia głowicy. Poza tym z powodu starzenia się sprężyn z biegiem […]

Charakterystyki szybkości przemieszczania domen cylindrycznych

Charakterystyki szybkości przemieszczania domen cylindrycznych: a) dla YFe03 b) dla TbFe03 i TmFe03 Zasada przesyłania domen cylindrycznych przedstawiona na rys. 9.12 umożliwia przesuwanie domeny między komórkami w całej płaszczyźnie ortoferrytu (rys. 9.15). Przesyłanie domen za pomocą wirującego pola magnetycznego. Prze-mieszczanie domen może odbywać się również pod wpływem wirującego pola magnetycznego, współdziałającego z płaskimi elementami magnetycznymi […]

Osiągnięcia konstrukcyjne i technologiczne

Aktualne osiągnięcia w konstrukcji i technologii pamięci półprzewodnikowych zilustrujemy kilkoma przykładami [7.10], [7.15], [7.23], Największą jak dotąd pamięć [7.15], opartą na komórkach bipolarnych, zastosowała firma IBM w najnowszych swoich maszynach. Pojemność bloku wynosi tutaj ok. 300 tys. bitów, a jego podstawowym elementem jest 64-bitowa płytka o powierzchni 8 mm2. Cykl pracy pamięci wynosi 54 ns.

WARUNKI STABILNOŚCI DOMEN MAGNETYCZNYCH

Natężenie Hs zewnętrznego pola magnetycznego potrzebne do przerwania domeny podłużnej, lub inaczej, potrzebne do wytworzenia domeny cylindrycznej, musi być w przybliżeniu równe natężeniu wewnętrznego pola domeny H, (pola odmagnesowania), działającego prostopadle do płaszczyzny płytki. Zależność między szerokością S domeny podłużnej i wartością bezwzględną Hz może być określona podobnie, jak zależność między

Rodzaje pamięci bębnowych

Pamięć bębnowa jest jednym z najstarszych urządzeń pamięciowych maszyn cyfrowych. Początki jej rozwoju w zasadzie zbiegają się z początkami elektronicznej techniki obliczeniowej. Biorąc pod uwagę dwa najistotniejsze parametry tej pamięci: pojemność i szybkość przesyłania informacji, można powiedzieć, że jej rozwój polegał na nieustannym wzroście wartości tych parametrów. Wzrosły one o 2-3 rzędów wielkości.

Wytwarzanie domen

W procesie wytwarzania domen stosuje się opisane wyżej metody rozrywania domen i przesyłania domen. Istota tego procesu polega na wytwarzaniu z jednej domeny, zwanej pierwotną, dowolnej liczby domen wtórnych, co ilustruje rys. 9.17. Domenę pierwotną umieszcza się w specjalnej komórce z dodatkową wąską pętlą, w której impuls prądu wytwarza pole rozrywające domenę na dwie części […]

Użycie różnych technik w jednej pamięci

Użycie różnych technik w jednej pamięci stwarza konieczność stosowania oddzielnych układów zasilających, pomiarowych itp., co komplikuje urządzenie. W dążeniu do uproszczenia konstrukcji w różnych typach pamięci wyeliminowano niektóre zespoły pomocnicze, np. hydrauliczny, pneumatyczny i klimatyzacji z nawiewem. Jest to możliwe zwłaszcza w pamięciach o małych średnicach dysków i dzięki zwiększeniu precyzji ich wykonania, zmniejszeniu masy […]

Komórki MOS – statyczne

Przykłady schematów statycznych komórek MOS dla pamięci o organizacji liniowej i koincydencyjnej przedstawiono na rys. 7.15 [7.21]. W obydwu przypadkach tranzystory T\ i T2 są inwertorami przerzutnika, natomiast tranzystory T3 i T4 są opornikami charakteryzującymi się stałymi wartościami oporności. Tranzystory T5 i T6 w komórce pamięci o organizacji liniowej oraz tranzystory Tx i Ty w […]

Bęben z głowicami stałymi

Zagadnienia związane z konstrukcją bębna z głowicami stałymi omówimy na przykładzie bębna B3, opracowanego 8 lat temu w Instytucie Maszyn Matematycznych w Warszawie. Zestaw bębna pokazano na rys. 10.2. Po zdjęciu osłon z podstawy bębna z prawej strony jest widoczna płyta przełącznicy, do której są podłączone przewody od głowic, z lewej – płyta tranzystorowego układu […]