Archive for the ‘Pamięć’ Category

Bęben z głowicami latającymi

Sztywne związanie głowicy z korpusem bębna nie gwarantuje niezawodnej pracy urządzenia przy bardzo małych odległościach (rzędu kilku mikrometrów) czoła głowicy od powierzchni wirnika, wymaganych jako jeden z warunków osiągnięcia większych gęstości zapisu. Nierówne nagrzewanie się poszczególnych elementów bębna w czasie pracy, różne współczynniki rozszerzalności cieplnej materiałów użytych na te elementy, odkształcenia wewnętrzne w materiałach oraz […]

Bloki budowane ze standardowych płatów

Przewiduje się, że bloki budowane ze standardowych płatów będą miały następujące pojemności:- blok 1: 1,6-107 bitów- blok 2: 3,2• 107 bitów- blok 3: 6,4-107 bitów – blok 4: 1,28-108 bitów.Blok 1 składałby się z 32 płyt, z których każda zawierałaby dwa standardowe płaty o łącznej pojemności pół miliona bitów. Linie X (w liczbie 512) przebiegałyby […]

Technologia tranzystora MOS z izolowaną bramką

Niezwykle prosta jest technologia tranzystora MOS z izolowaną bramką. W płytce podłoża typu p lub n wykonuje się tylko źródło 1 – płytka podłoża, 2 – warstwa ochronna SiOo, 3 – obszar typu n uzyskany przez dyfuzją atomów fosforu w podłoże, 4 – źródło tranzystora z kanałem typu n, 5 – dren tranzystora z kanałem […]

Schemat pneumatycznego mechanizmu przesuwu taśmy

Schemat pneumatycznego mechanizmu przesuwu taśmy: a) zasada działania b) konstrukcja sprzęgła 1 – głowice, 2 – taśma magnetyczna, 3 – sprzęgło, 4 – hamulec, 5 – połączenie komory z układem regulacji ciśnienia zwiększenie dynamicznego tarcia taśmy o powierzchnię sprzęgła, pod którego wpływem taśma będzie się przesuwać. Dwa takie sprzęgła obracające się w przeciwnych kierunkach umożliwiają […]

Efekt pamiętania

Okazuje się, że efekt pamiętania może być osiągnięty nie tylko w specjalnie uformowanym elemencie nadprzewodzącym, lecz także w warstwie ciągłej [8.1], podobnie jak to ma miejsce np. w przypadku cienkich warstw magnetycznych. Zasadę konstrukcji takiej pamięci przedstawiono na rys. 8.6. Komórkę pamięciową stanowi tu fragment warstwy nadprzewodzącej 1, wyznaczony przez miejsce, w którym krzyżują się […]

Los techniki kriogenicznej

Około roku 1965 wydawało się, że tak wysokie i trudne do spełnienia wymagania ostatecznie przesądzą los techniki kriogenicznej, tym bardziej, iż pojawiły się konkurencyjne technologie (mikroelektronika, cienkie warstwy magnetyczne). Jednak najnowsze prace firmy RCA [8.7], [8.4], [8.5] z powrotem skierowały uwagę konstruktorów pamięci na ten rodzaj techniki. Dokonano przede wszystkim rozdziału układów pamięciowych od układów […]

Inwertor

Schemat ideowy układu czterech komórek ilustrującego zasadę działania dynamicznej pamięci przerzutnikowej z dowolnym dostępem na płytce krzemowej o wymiarach zaledwie ok. 4X4 mm [7.4], Stanowi to 80’% powierzchni płatu o takiej samej pojemności zbudowanego z konwencjonalnych przesuwanych rejestrów dynamicznych i zaledwie 25’% powierzchni scalonego płatu statycznego. Komórki płatu są podzielone na 32 kolumny i 32 […]

Oczyszczenie płytki

Po dokładnym oczyszczeniu płytki osadza się na niej cienką mono- krystaliczną warstwę krzemu o innej oporności właściwej niż oporność podłoża. Proces ten nazywa się nakładaniem epitaksjalnym, a najbardziej powszechną metodą jego realizacji jest tzw. metoda chlorkowa. Polega ona na termicznym rozkładzie czterochlorku krzemu według wzoru SiCl4 + 2H, Si + 4HC1. Efektem redukcji czterochlorku krzemu […]

Schemat ideowy przykładowego układu scalonego

Na odpowiednio przygotowane podłoże krzemowe (1) typu p (na rys. 7.4a pokazano jego fragment, na którym będzie wytworzony tylko jeden układ) nakłada się warstwę epitaksjalną (2) typu n (rys. 7.4b), którą następnie poddaje się procesowi utleniania. W wyniku tego powstaje zabezpieczająca warstwa dwutlenku krzemu (3) o grubości ok. 0,5 ¡.im (rys. 7.4c). Z kolei w […]