Przekrój tranzystora unipolarnego

Przekrój tranzystora unipolarnego z izolowaną bramką 1 – metal (aluminium), 2 – warstwa izolująca SiOc, 3 – płytka podłoża Pole elektryczne steruje tutaj przewodność kanału nie przez złącze p-n, lecz przez warstwę izolacyjną, co przedstawia rys. 7.7 i dlatego oporność wejściowa tranzystora MOS jest bardzo duża (ok. 1018 Q).

Istnieją cztery podstawowe odmiany tranzystora MOS. Tranzystor może bowiem mieć kanał typu p lub n oraz zubożać lub wzbogacać nośniki większościowe w kanale. Jeżeli przy nie spolaryzowanej bramce płynie prąd w kanale, to mamy do czynienia z tranzystorem zubożającym nośniki. Zachodzi to wówczas, gdy między źródłem a drenem znajduje się kanał utworzony przez dyfuzję lub nałożony epitaksjalnie. Natomiast jeżeli kanał jest formowany dopiero przez przyłożone do bramki napięcie, a natężenie prądu rośnie wraz ze wzrostem tego napięcia, to mówimy, że jest to tranzystor wzbogacający nośniki. Ten rodzaj tranzystorów nadaje się szczególnie do zastosowania w układach cyfrowych, a więc również w komórkach pamięciowych, ponieważ wykazuje dużą odporność na zakłócenia. Wynika to z faktu, że napięcie wejściowe bramki VB musi przekroczyć pewną wartość progową, zanim popłynie prąd drenu In. Odnosi się to

zarówno do tranzystorów z kanałem p, jak i n, jednakże bardziej rozpowszechniona jest odmiana z kanałem p. Charakterystyki takiego tranzystora przedstawia rys. 7.8a,b.

Omówimy teraz pokrótce proces wytwarzania tranzystorów unipo- – larnych. Dla tranzystora z rys. 7.5 jest to proces tzw. podwójnej dyfuzji, który opiszemy tylko ze względów dydaktycznych, w warunkach produkcyjnych nie jest bowiem stosowany. Przebiega on następująco. Ma-

You can skip to the end and leave a response. Pinging is currently not allowed.

Leave a Reply