SCHEMATY IDEOWE KOMÓREK PAMIĘCI I PŁATÓW

Pamiętanie informacji binarnych w pamięciach półprzewodnikowych polega na wyzyskaniu pewnych właściwości układów, a nie specyficznych właściwości materiałów, co jest zasadą przy stosowaniu większości nośników informacji. Komórkę pamięci stanowi układ przerzutnika, w którym zamknięto w pętlę dwa tranzystory, tworzące dwa inwertory i pozostające w przeciwnych stanach stabilnych.

Możliwość wpływania z zewnątrz na stan tego układu można interpretować jako rejestrowanie informacji o wartości 1 lub o wartości 0. Układ przerzutnika ma charakterystykę nieliniową. Niewielki wzrost ponad pewną określoną wielkość wartości sygnału na wejściu jednego z inwertorów powoduje duży przyrost wartości sygnału na jego wyjściu,, a tym samym na wejściu drugiego inwertora, wprowadzając go w stan nasycenia. Na skutek wzajemnych dodatnich sprzężeń obu inwertorów stan ten utrzymuje się trwale, a jego zmiana może nastąpić dopiero pod

wpływem sygnału o odpowiedniej wartości, doprowadzonego do wejścia drugiego inwertora. Im większa jest nieliniowość tego procesu, tym lepsze właściwości pamięciowe ma układ przerzutnika.

Komórki pamięciowe wykonywane przy zastosowaniu technologii opisanych w p. 7.2 różnią się dość znacznie między sobą. Dużą nieliniowość charakterystyk mają komórki bipolarne i COS/MOS, natomiast układy MOS są pod tym względem znacznie gorsze.

You can skip to the end and leave a response. Pinging is currently not allowed.

Leave a Reply