Techniki fotolitografii

Mimo znacznej prostoty i szerokiego rozpowszechnienia techniki fotolitografii nie jest ona techniką perspektywiczną, ponieważ ma zbyt małą zdolność rozdzielczą, uniemożliwiającą wykonywanie bardzo małych elementów. Pozwala ona na uzyskiwanie odległości sąsiednich krawędzi rzędu kilku mikrometrów z dokładnością ok. 1 (im, gdy tymczasem dla układów subminiaturowych wymaga się dokładności o rząd większej. Wydaje się, że w tej dziedzinie technikę fotolitograficzną zastąpi wiązka elektronowa, której zdolność rozdzielcza dochodzi do 0,1 p.

Dyfuzja domieszek do wnętrza warstwy krzemowej w miejscach odsłoniętych ma na celu wytworzenie tam warstwy o określonym rodzaju przewodnictwa. I tak domieszki akceptorowe (np. atomy boru) decydują o przewodnictwie dziurowym, a domieszki donorowe (np. atomy fosforu) o przewodnictwie elektronowym. W pierwszym przypadku półprzewodnik nazywa się półprzewodnikiem, dziurowym lub półprzewodnikiem typu p, w drugim przypadku półprzewodnikiem elektronowym lub półprzewodnikiem typu n. Dyfuzja domieszek polega na doprowadzeniu par odpowiedniego pierwiastka lub związku tego pierwiastka do komory, w której znajduje się ogrzana do temperatury ok. 1000°C płytka krzemowa. Głębokość wnikania domieszek w warstwę krzemu zależy zarówno od temperatury, jak i czasu trwania dyfuzji. Końcowy etap tego procesu polega na utlenieniu płytki w atmosferze tlenu lub przegrzanej pary wodnej. Dzięki temu płytka jest przygotowana do wytrawienia na niej nowego wzoru i dokonania następnej dyfuzji.

You can skip to the end and leave a response. Pinging is currently not allowed.

Leave a Reply