Technologia tranzystora MOS z izolowaną bramką

Niezwykle prosta jest technologia tranzystora MOS z izolowaną bramką. W płytce podłoża typu p lub n wykonuje się tylko źródło 1 – płytka podłoża, 2 – warstwa ochronna SiOo, 3 – obszar typu n uzyskany przez dyfuzją atomów fosforu w podłoże, 4 – źródło tranzystora z kanałem typu n, 5 – dren tranzystora z kanałem typu n, 6 – źródło tranzystora z kanałem typu p, 7 – dren tranzystora z kanałem typu p, 8 – elektroda bramki, 9 – elektrody źródła i drenu, 10 – kanał typu p, U – kanał

typu ni dren metodą dyfuzji odpowiednich domieszek w określone obszary, po czym na powierzchni warstwy Si02 techniką napylania metalu wykonuje się elektrodę bramki, a w odpowiednich okienkach tej warstwy elektrody źródła i drenu.

Bardzo ważnym etapem w rozwoju technologii tranzystorów MOS było opanowanie procesu równoczesnego wykonywania na wspólnym podłożu tranzystorów z kanałem typu p i kanałem typu n, tzw. tranzystorów COS/MOS (ang. coviplementary symmetry metal oxide semiconductors). Podstawowe fazy tego procesu przedstawiono na rys. 7.10 [7.10]. Jako płytkę podłoża zastosowano tutaj krzem typu p z wytworzoną na niej warstwą Si02 (rys. 7.10a). Przez okienko w tej warstwie, wykonane metodą fotolitografii, dokonuje się dyfuzji atomów fosforu w podłoże, celem wytworzenia obszaru typu n (rys. 7.1 Ob). Po ponownym nałożeniu na powierzchnię płytki warstwy Si02 i wykonaniu w niej nowych okienek następuje dyfuzja n+ (n+ oznacza dużą koncentrację nośników – elektronów) w obszary podłoża przeznaczone na źródło i dren tranzystora z kanałem typu n (rys. 7.10c). Po nałożeniu trzeciej warstwy Si02, przez otwarte w niej okienka odbywa się dyfuzja p+ (p+ oznacza dużą koncentrację nośników – dziur) w obszary przeznaczone na źródło i dren tran-zystora z kanałem typu p (rys. 7.10d). Wreszcie w czwartej z kolei warstwie Si02 wykonuje się okienka dla elektrod (rys. 7.10e).

You can skip to the end and leave a response. Pinging is currently not allowed.

Leave a Reply